一氧化硅

一氧化硅是化学式为SiO的化合物，其中硅以+2氧化态存在。 在气相中，它是双原子分子。 它已在恒星物体中检测到，并被描述为宇宙中最常见的硅氧化物。

当 SiO 气体迅速冷却时，它会凝结形成棕色/黑色聚合玻璃状材料 (SiO)n，这种材料可商购并用于沉积 SiO 薄膜。 玻璃状 (SiO)n 对空气和湿气敏感。

它的表面在室温下很容易在空气中氧化，形成 SiO2 表面层，保护材料免于进一步氧化。 然而，(SiO)n 在 400 °C 和 800 °C 之间的几个小时内不可逆地歧化为 SiO2 和 Si，并且在 1,000 °C 和 1,440 °C 之间非常迅速，尽管反应没有完成。

这种物质总是在木炭和二氧化硅颗粒之间的界面上被发现。

通过调查该物质的一些化学性质、比重和燃烧分析，Maybery 推断该物质一定是 SiO。 表示SiO2与C的部分化学还原的方程式可表示为：

SiO_{2 + C ⇌ SiO + CO}

用两倍量的碳完全还原 SiO2 会产生元素硅和两倍量的一氧化碳。

由于 SiO 的挥发性，可以通过用硅加热矿石或矿物以这种方式产生气态 SiO 来从矿石或矿物中去除二氧化硅。 然而，由于难以准确测量其蒸气压，并且由于依赖于实验设计的细节，文献中报道了 SiO (g) 蒸气压的各种值。 对于处于硅熔点的石英 (SiO2) 坩埚中熔融硅上方的 pSiO，一项研究得出的值为 0.002 atm。 对于纯无定形 SiO2 固体的直接蒸发，据报道为 0.001 atm。 对于涂层系统，据报道在 SiO2 和硅化物之间的相界处为 0.01 atm。

二氧化硅本身或含有 SiO2 的耐火材料可以在高温下用 H2 或 CO 还原，例如：

SiO_{2(s) + H2(g) ⇌ SiO(g) + H2O(g)</sub >}

随着 SiO 产品挥发（被去除），平衡向右移动，导致 SiO2 的持续消耗。 基于二氧化硅重量损失速率对垂直于界面的气体流速的依赖性，这种减少的速率似乎是由反应表面的对流扩散或传质控制的。

一氧化硅分子被困在由氦冷却的氩基体中。 在这些条件下，SiO 键长介于 148.9 pm 和 151 pm 之间。 该键长类似于矩阵隔离线性分子 SiO 中 Si=O 双键的长度 (148 pm)_{2 (O=Si=O)，表示不存在一氧化碳中的三键。 然而，SiO 三键的计算键长为 150 pm，键能为 794 kJ/mol，这也非常接近 SiO 报道的值。 值得注意的是，对于由轻主族元素组成的分子，SiO 双键结构是路易斯八位组规则的一个例外，而 SiO 三键满足此规则。}