共源共栅放大器

共源共栅放大器电路（不要与级联电路混淆）是至少有两个电子管或晶体管串联的电子放大电路。 主要优点是可以忽略不计的米勒效应，它允许更高的带宽，但也有高输入和输出电阻。

在电子管实现的历史形式中，它由两个三极管组成，其中xxx级 - 一个正常的阴极基极电路 - 电耦合到第二级，一个栅极基极电路。 因此，该电路结合了两个优点：高输入电阻和可忽略的反馈，因为第二个管的控制栅充当屏蔽。 由于使用三极管，噪音比五极管低得多，这就是为什么这种形式被用作xxx台电视接收器（仍然配备电子管）的输入级的原因。

共源共栅放大器电路也可以用晶体管形成，如相邻的双极晶体管电路草图所示。 这里输入晶体管 T1 在共发射极工作，输出晶体管 T2 在电流控制下在共基极工作。

第二级，即共基极电路中的晶体管T2，在发射极连接处具有较低的输入电阻，这导致xxx级的负电压放大率较低，并xxx降低了米勒效应。 输出对输入的影响xxx降低，尤其是在高频范围内，示波器中 RC 放大器的可用带宽显着增加。 xxx输出电阻增加，而直流输入电阻几乎与共发射极相同。

下方的放大器元件只需具有低阻断电压，而上方的放大器元件可具有高阻断电压和低电流增益。 在快速切换高压时，这符合许多放大器元件的规格。 当为 T1 选择功率 MOSFET 时，可实现最佳特性。

晶体管（下方）和电子管（上方）的组合也是可能的，晶体管可实现约 -100 的电压增益。 这使得切换高达几 10 kV 的高压成为可能，而无需产生管的高控制电压（几 10 V）。

双栅极MOSFET是两个场效应晶体管的集成串联电路； 它们的反响如此之低，以至于无需中和即可用于构建 VHF 放大器。 在超外差式接收器的混频级中，振荡器电压被馈送到上栅极 2，使 MOSFET 具有与六极管相似的特性，但噪声要小得多。