氮化物半导体

氮化物半导体，III-V族半导体在，V族元素为氮使用半导体。代表性示例是氮化铝（AlN），氮化镓（GaN）和氮化铟（InN）。氮化铝是绝缘体，但将在同一专栏中讨论。

与传统的半导体相比带隙大的宽带隙半导体，也镓（Ga）的，铟（In）的，铝通过改变（Al）的浓度，可以改变带隙大我可以的 因此，它可以覆盖几乎所有可见光区域，并且被认为是有前途的发光材料。

还具有化学稳定的特征，并且正在使用该特征进行研究和应用。例如，可以通过使用高击穿电压来实现低损耗电子设备，并且某些氮化物半导体（氮化铝，氮化镓，氮化铟）具有高温（约500℃）但是，由于其稳定的特性，正在研究和应用为可以在这种环境下无需冷却而使用的器件材料。

另外，由于不使用砷等有毒物质，因此具有物理强度高（非常坚硬），无环境负荷等特征。

在1980年代后期，赤尾Isao和Hiroshi Amano报道了诸如低温缓冲层，p型导电，n型导电控制和pn结 LED等开创性的研究成果。

1993年，日亚化学工业的中村修二，高亮度蓝色使用氮化镓LED是本发明第 一个在世界上，在实际使用中，这种情况应该说氮化吊杆被引起的。

2004年，对氮化物半导体的研究非常活跃，即使在日本应用物理学会上，氮化物半导体的研究活动也比其他会议大几倍。

2006年，它被用作HD-DVD和Blu-Ray中的重要半导体元件（半导体激光器），并进行了各种研究以提高产量。

松下在2012年宣布了一种使用氮化物半导体的人工光合作用系统。