半导体

双极CMOS是一种半导体技术，它将两种半导体技术，即双极结晶体管和CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑门，整合到一个单一的集成电路中。在最近，双极工艺已经扩展到包括使用硅锗结的高流动性器件。双极型晶体管具有高速、高增益和低输出阻抗，而每个器件的功耗相对较高，这对于高频模拟放大器，包括只使用少数有源器件的低噪声射频（RF）放大器来说是非常好的特性，而CMOS技术具有高输入阻抗，对于构建大量的低功耗逻辑门来说是非常好的。在BiCMOS工艺中，掺杂概况和其他工艺特征可以倾斜，以有利于CMOS或双极器件。例如，GlobalFoundries提供基本的180纳米BiCMOS7WL工艺和其他几种以不同方式优化的BiCMOS工艺。这些工艺还包括在片上沉积精密电阻和高Q值射频电感和电容的步骤，这些在纯CMOS逻辑设计中是不需要的。

BiCMOS的目标是混合信号集成电路，如ADC和芯片上的完整软件无线电系统，需要在芯片上设置放大器、模拟电源管理电路和逻辑门。BiCMOS在提供数字接口方面有一些优势。BiCMOS电路最恰当地利用了每种类型晶体管的特性。一般来说，这意味着大电流电路，如片上电源调节器使用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行有效控制，"逻辑之海"使用传统的CMOS结构，而那些专门的非常高性能的电路部分，如ECL分压器和LNA使用双极器件。例子包括射频振荡器、基于带隙的参考和低噪声电路。Pentium、PentiumPro和SuperSPARC微处理器也使用BiCMOS。

CMOS制造的一些优点，例如大规模生产时成本很低，并不能直接转移到BiCMOS制造上。一个固有的困难是，如果不增加许多额外的制造步骤，就不可能同时优化工艺中的BJT和MOS组件，从而增加工艺成本和降低产量。最后，在高性能逻辑领域，BiCMOS可能永远无法提供与单独为CMOS优化的代工工艺一样低的功耗，因为有可能出现更高的待机泄漏电流。