氧化物半导体
编辑氧化物半导体，金属的阳离子是用作多种类数的带隙具有可见光范围的电磁波传输通过。它们中的一些表现出高的载流子浓度和迁移率，并且已经设计出利用这些特性的各种应用。
典型示例包括氧化锌，二氧化锡，氧化铟和ITO（通常为In 2 O 3：SnO 2 = 90:10 [wt％]）。许多是电子的电荷载体的n型是，氧化铜或氧化银，也一氧化锡，如孔中电荷载流子的p型也有报道。典型应用包括透明导电膜和超导体，传感器等进行了研究。
氧化物半导体的特点
编辑氧化物半导体（oxide semiconductor）具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。
氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。
导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。
非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。
作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及电子纸等新一代显示器的TFT材料最佳候选之一。预计最早将在2012～2013年开始实用化，将来或许还会成为具备“柔性”和“透明”等特点的电子元件的实现手段。
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