单电子晶体管

单电子晶体管（ Single Electron Transistor）是一种晶体管。

当作为常规晶体管的组成部分的栅极长度变为几十纳米时，量子特性变得非常明显，并且认为当前的MOS FET难以实现作为算术元件的功能。因此，新提出了一种新的单电子晶体管（SET），该单电子晶体管通过使用诸如量子世界特有的隧道效应之类的现象逐一控制电子来执行各种操作。在SET 量子点被认为是重要的，从理论上讲，实行低功耗的电脑可以用更好的性能有望比目前的。

它的结构类似于带有三个电极的场效应晶体管，但操作不同，因为它使用了一种称为“ 库仑阻塞 ” 的效应，该效应阻止了存在于微观库仑岛上的电子的隧穿。

为了在室温下引起库仑阻塞，库仑岛的大小必须为纳米大小，并与在室温下工作的单个单电子晶体管形成逻辑电路，并用小巧的连线连接这是一个挑战。此外，当提高集成度并且单电子晶体管之间的距离小于50 nm时，将出现在单个器件之间发生电子隧穿的问题。