闸极介电层
编辑栅极电介质是用于场效应晶体管（例如 MOSFET）的栅极和衬底之间的电介质。 在最先进的工艺中，栅极电介质受到许多限制，包括：
电容和厚度约束几乎是相互对立的。 对于硅衬底 FET，栅极电介质几乎总是二氧化硅（称为栅极氧化物），因为热氧化物具有非常干净的界面。 然而，半导体行业有兴趣寻找具有更高介电常数的替代材料，这将允许在相同厚度下实现更高的电容。
历史
编辑场效应晶体管中最早使用的栅极电介质是二氧化硅 (SiO2)。 二氧化硅仍然是 MOSFET 技术中的标准栅极电介质。
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