小注入

p-n 结的小注条件，在物理学和电子学中，是指材料中产生的少数载流子数量少于多数载流子的状态。 半导体的多数载流子浓度将保持（相对）不变，而少数载流子浓度将大幅增加。 在这种情况下，少数载流子复合率是线性的。

在载流子注入条件下，半导体必须满足以下等式：

n = Δ n + n 0 , {\displaystyle n=\Delta n+n_{0},}

其中 n {\displaystyle n} 是电子数，Δ n {\displaystyle \Delta n} 是注入半导体的过剩载流子，n 0 {\displaystyle n_{0}} 是平衡浓度 半导体中的电子

以下关系也必须成立，因为对于每个注入的电子，还必须创建一个空穴以保持电荷平衡：

Δ n = Δ p 。 {\displaystyle \Delta n=\Delta p.}

可以对 n 型半导体做出低水平注入的假设，它以下列方式影响方程：

相比之下，高注入半导体意味着产生的载流子数量与材料的背景掺杂密度相比较大。 在这种情况下，少数载流子的复合率与载流子数的平方成正比。