微下拉晶体成长法
编辑微下拉 (μ-PD) 方法是一种晶体生长技术，其基础是熔化物质通过坩埚底部的微通道连续传输。 熔体的连续凝固在位于坩埚下方的液/固界面上进行。 在稳定状态下，熔体和晶体都以恒定（但通常不同）的速度下拉。
许多不同类型的晶体通过这种技术生长，包括 Y3Al5O12、Si、Si-Ge、LiNbO3、α-Al2O3、Y2O3、Sc2O3、LiF、CaF2、BaF2 等。
晶体生长常规
编辑用于大多数 μ-PD 晶体生长的标准程序已得到很好的发展。 生长的一般阶段包括：
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