伦敦穿透深度

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在超导体中,伦敦穿透深度(通常表示为λ{displaystylelambda}或λL{displaystylelambda_{L}})表征了磁场穿透超导体的距离和变得等于超导体表面磁场的e−1{displaystylee{-1}}倍。λL的典型值范围为50至500nm。 伦敦穿透深度是考虑伦敦方程和安培环路定律的结果。如果考虑超导半空间,即x>0的超导,并且在x<0的空空间中沿z方向施...

伦敦穿透深度

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超导体中,伦敦穿透深度(通常表示为 λ {displaystyle lambda } 或 λ L {displaystyle lambda _{L}} )表征磁场穿透超导体的距离和 变得等于超导体表面磁场的 e − 1 {displaystyle e{-1}} 倍。 λL 的典型值范围为 50 至 500 nm。

伦敦穿透深度是考虑伦敦方程和安培环路定律的结果。 如果考虑超导半空间,即 x>0 的超导,并且在 x<0 的空空间中沿 z 方向施加弱外部磁场 B0。

穿透深度由流体密度决定,超流体密度是决定高温超导体中 Tc 的重要量。 如果某些超导体的能隙中有某个节点,则 0 K 处的穿透深度取决于磁场,因为磁场会改变超流体密度,反之亦然。 因此,准确和精确地测量 0 K 下穿透深度的绝 对值对于理解高温超导机制非常重要。

伦敦穿透深度

有多种实验技术可以确定伦敦穿透深度,尤其是它的温度依赖性。 当超导体不具有本征磁结构时,可以通过μ介子自旋谱测量伦敦穿透深度。 穿透深度直接从 μ 子自旋的去极化率转换而来,其中 σ(T) 与 λ2(T) 成正比。 σ(T)的形状与温度中超导能隙的种类不同,因此这直接表明了能隙的形状,并为我们提供了一些超导起源的线索。

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