场发射显示器

场发射显示器（也称为场发射显示器的FED）类似于等离子屏幕，相对平坦的屏幕，其中与CRT屏幕一样，通过电子束在具有荧光层的屏幕上产生主动发光点。

然而，与 CRT 不同的是，FED 不会用电子束“写入”整个屏幕。相反，每个像素都有单独的电子源。因此，FED 的对比度、亮度和刷新率比 CRT 好得多。

由于它们是自发光的，FED（如等离子屏幕）不需要背光，这与液晶显示器 (LCD) 不同。

FED 的小厚度是通过使用场发射从冷阴极产生必要的电子来实现的。使用具有仅约 10 nm 的极小曲率半径的发射尖端和覆盖控制栅格来加速电子，这创造了一个非常高电场结果。每个像素使用 2000-3000 个提示。尖端的制造过程是自我调节的；这就是使高密度成为可能的原因。

FED 的最新发展还表明，可以使用应用的复合材料来代替难以制造的尖端。这允许进一步的栅极结构并且最重要的是允许像素单元的更简单的生产。另一种方法是使用碳纳米管代替经典尖端。它们提供更好的发射器特性，这意味着即使在较低电压下也可以发射。

过去FED在发展上遭遇颇多瓶颈，但是从奈米碳管技术应用逐渐浮上楼面，而CANON与TOSHIBA两家公司也合资以SED技术进行开发的种种迹象看来，FED的未来仍有其潜力。

各种平面显示器技术在画质、成本等皆取代CRT为发展的目标，而场发射显示器（Field emission display,FED）则以CRT技术的延伸来发展，意图以CRT的优点来抢占此一市场，虽然在概念上虽有与CRT类似之处，但由于在结构、材料上与CRT技术完全不同，因此发展起来的仍遭遇许多瓶颈。

不过在使用奈米碳管技术应用在场发射显示技术上逐渐有较大的突破与发展，再加上Canon与Thoshiba利用表面传导发射电子的理论发SED技术，于2004年月10月合资成立新公司从事SED面板的开发、制造与销售，预计于2005年8月开始量产，让人期待FED技术的新转机。