寄存器内存

寄存器内存，描述的是一种内存模块，常用于服务器和工作站的主内存中。 该技术的目的是通过附加寄存器减少内存控制器的电气电容负载，从而增加可连接内存芯片的数量和数据完整性。该术语通常错误地与以前的技术缓冲模块. 使用是因为两者都追求相似的目标。 缓冲模块的另一个最新发展是 LR-DIMM（减载 DIMM），其中寄存器被内存缓冲器取代。

自从引入了SDRAM，也适用于DDR-SDRAM，模块上不再有缓冲区，而是寄存器，这就是人们所说的Registered RAM的原因。 在此之前，一直到EDO-RAM时代，都使用了相应的带有缓冲区的技术，称为Buffered Module。

寄存内存模块有额外的（通常是两个）寄存芯片，地址线信号通过这些寄存芯片传送，以减少主板芯片组的电气负载。 旁边通常有一个PLL元件，用来处理时钟信号，减轻主板上的时钟信号驱动。 对于未注册的模块，不仅所有模块的数据线并联，而且所有存储芯片的地址线输入。 相比之下，寄存器内存减少了地址驱动线，让芯片组工作更稳定。 因此，这些模块通常以不同的方式组织。 多采用单面模组（one bank）代替双面模组（two bank），以减轻数据信号线驱动器的负担，因为并联的芯片较少。 寄存器内存几乎完全以 ECC 版本提供，这常常导致这两个术语被同时提及，即使它们是两个独立的技术属性。

然而，该技术有一些缺点。 技术功夫较高，额外的寄存器芯片一般焊接在DIMM中间，清晰可见。 除了模块价格较高和迫切需要包括 BIOS 在内的主板支持外，延迟和数据吞吐量也起着重要作用。 使用寄存器内部存储时，输入信号出现在输出端的时间比正常信号的情况晚一个时钟周期。 此外，带寄存器的 DIMM 的 240 针脚分配与普通模块略有不同，这会被合适的内存控制器自动识别。 应该注意的是，寄存器内部不能与未注册的模块结合使用，制造商提到的支持（仅）“无缓冲”DDR-3 通常意味着不支持“已注册”DDR-3。 寄存器也不能被停用，例如 ECC。 此外，寄存器内存的耗电量通常会略高于普通DIMM。