VRAM

VRAM是 DRAM，主要用于 1993 年和 1994 年，直至千禧年之交，作为图形卡上的本地内存。 内存最重要的特征是两个端口（双端口RAM），一个用于随机读写（随机存取）的“普通”端口和一个用于顺序读取（视频信号生成）的端口。

在千禧年之际，普通 RAM 变得足够强大，以至于普通单端口 RAM（DDR 或 GDDR）足以用于显卡。

在许多计算机杂志中，无论采用何种内存技术，显卡的内存仍被称为 VRAM。

从概念上讲，VRAM 由两部分组成：

• SAM（串行存取存储器）SAM接口用于读取RAMDAC的数据以生成视频信号。 只能执行顺序读取访问。 通过 SAM 接口访问（例如 110 MB/s）比通过 DRAM 接口访问（例如 60 MB/s）稍微快一点并且几乎不妨碍通过 DRAM 接口访问，因为它很少发生（每隔 2048、4096 或 8192字节）需要访问的实际RAM。

• DRAM（动态随机存取存储器） 该存储器接口供 CPU 或图形处理器的集成图形功能用于创建文本、图形和图像。 从技术上讲，VRAM 模块由 FPM RAM（30-40 ns 循环时间）或 EDO RAM（20-30 ns 循环时间）组成，可实现 50 至 66 MHz 的时钟频率。

• WRAM（窗口 RAM）像 VRAM 一样配备了独立的读写线，但访问时间更快，制造成本更低。
• SGRAM（同步图形 RAM）是一种在技术上与 SDRAM 相关的单端口存储器，同时读取和写入访问是不可能的。 它提供了一系列功能，这些功能已经扩展到包括图形操作（例如在块中读取和写入）和更高的时钟频率。
• MDRAM（多组 DRAM）构造为一组通过公共总线连接的独立内存组。 通过这种结构，可以实现高度并行化。
• CDRAM（高速缓存 DRAM）是静态内存 (SRAM) 和动态内存 (DRAM) 的混合体。 与现代处理器的缓存类似，经常使用的数据存储在带有 CDRAM 的快速 SRAM 中，从而提高性能。
• 3D RAM 是 Mitsubishi 开发的，由存储芯片和集成逻辑组成。 一些图形操作（例如 z-buffer test）可以直接在内存中执行。 此内存用于 Sun Microsystems 的 UltraSparc。
• GDDR-SDRAM（图形双倍数据速率 SDRAM）是一种基于 DDR-SDRAM 的图形内存，具有优化的访问时间和高时钟频率的特点。