光刻技术

光刻技术（英文：photolithography）通过将涂有光敏材料的材料的表面以一定图案（也称为图案曝光或按图像曝光）曝光来曝光已曝光和未曝光的区域。生成模式的技术包括 主要用于制造半导体元件、印刷电路板、印刷板、液晶显示面板、等离子显示面板等。

在半导体元件的制造中，如下进行光刻。硅、砷化镓，如一个半导体晶片上的光致抗蚀剂被称为光敏有机材料涂布，步进称为曝光使用的装置中，标线片被称为光掩模印刷元件，在所描绘的电路的图案。在下文中，将更详细地描述该过程。

通过旋涂机或喷涂将称为抗蚀剂的液体施加到硅晶片上。通过将与光反应的化学物质溶解在溶剂中来制备抗蚀剂，存在其中溶解了暴露部分的“ 正型”和保留了暴露部分的“ 负型”。正型有利于图案小型化，并且正型目前是主流。在使用诸如KrF 的受激准分子激光进行曝光的情况下，由于曝光强度弱，所以使用化学放大的光致抗蚀剂。

加热涂覆有抗蚀剂的晶片以固化抗蚀剂。

用光照射抗蚀剂以使其反应。此时，通过使用描绘电路图形状的掩模来控制要被光照射的部分，从而在抗蚀剂上绘制必要的形状。过去，曝光设备使用等尺寸的曝光，以使掩模和晶圆紧密接触曝光，但是由于所需的图案变得更细，并且很难制作出掩模，因此近年来创建了比实际尺寸大的掩模图案。的步进而在晶片上通过使用称为一个装置移动缩小投影曝光已经改变的方法。图案足够短，以更精细的波长是必需的光源、电流的高压汞灯克线（波长436 纳米）、i线（波长365nm）、KrF受激准分子激光（波长248纳米）、ArF准分子激光（波长193纳米） EUV光（波长13.5nm：EUV光刻）正处于开发阶段，是下一代光源。的透视或具有光源，电子束方法直接绘制在由（抗蚀剂的电子束光刻）也存在。

将曝光的晶圆浸入显影液中，然后去除多余的抗蚀剂。仅在该过程中，电路图案才会出现在晶片上。作为显影剂，使用溶解抗蚀剂的化学溶液。所使用的化学溶液可以是溶解抗蚀剂的有机溶剂或有机或无机碱。在当前的半导体光刻中，作为有机碱的2.38 重量％的氢氧化四甲铵（TMAH）的水溶液是主流。这是因为无机碱，例如氢氧化钾（KOH）不能避免将金属离子混入工艺中。用冲洗液（主要是超纯水）冲洗几次，以完全清除不想要的部分。

通过加热除去附着的冲洗液。加热改善了对晶片的附着力。

使用抗蚀剂绘制的图案创建目标电路。该过程根据所使用的晶片而不同，并且当要去除不需要的部分时执行蚀刻，并且当添加必要的电路时执行膜形成/剥离。

当期望简单地在晶片上提供不平坦时，或者当最初在晶片上形成图案时，通过蚀刻去除不必要的部分。有干蚀刻和湿蚀刻。由于抗蚀剂的剩余部分没有通过蚀刻去除，因此在晶片上形成了残留的图案。最后，用溶剂等将抗蚀剂完全除去。

另一对晶片的金属或氧化物，如果你想给等，真空沉积或溅射、CVD通过技术如沉积到。最后，当用溶剂等去除抗蚀剂时，在抗蚀剂上形成的材料也同时被去除（称为剥离），从而可以在晶片上添加期望的图案。