量子光刻技术

量子光刻技术是光刻技术的一种，它利用了光子的非经典特性，如量子纠缠，以达到比普通经典光刻技术更高的性能。量子光刻技术与量子成像、量子计量和量子传感等领域密切相关。

该效应利用了光的量子力学状态，称为NOON态。量子光刻技术是由JPL的乔纳森-P-道林小组发明的，并且已经被一些小组研究过。

特别重要的是，量子光刻技术可以战胜经典的瑞利准则的衍射极限。

经典光刻技术的光学成像分辨率不能小于所使用的光的波长。例如，在使用光刻技术大规模生产计算机芯片时，人们希望在芯片上产生越来越小的特征，这在经典上需要转向越来越小的波长（紫外线和X射线），这就意味着在这些极短的光学波长上生产光学成像系统的成本会成倍增加。

量子光刻技术利用了特别准备的处于NOON状态的光子和特殊的光刻胶之间的量子纠缠，这些光子显示出多光子吸收过程，以实现更小的分辨率，而不需要更短波长的要求。

例如，一束红色光子，在NOON状态下一次纠缠50个，将具有与一束X射线光子相同的分辨能力。

量子光刻技术领域正处于起步阶段，尽管已经利用Hong-Ou-Mandel效应进行了原则性的实验证明，但它离实际使用还有很长的路要走。