超越CMOS

超越CMOS指的是未来可能的数字逻辑技术，超越CMOS的比例限制，由于加热效应，CMOS限制了器件密度和速度。随着CMOS晶体管尺寸的缩小，时钟速度也在增加。大约从2004年开始，CMOSCPU的时钟速度在3.5GHz左右趋于平稳。CMOS器件的尺寸继续缩小--见英特尔tick-tock和ITRS。2012年22纳米的IvyBridge在2014年第四季度首次出货14纳米的处理器。2015年5月，三星电子展示了300毫米的10纳米FinFET芯片晶圆。目前还不清楚CMOS晶体管是否还能在3纳米以下工作。

大约在2010年，纳米电子研究计划（NRI）研究了各种技术的各种电路。尼科诺夫在2012年对许多技术进行了基准测试，并在2014年更新了它。2014年的基准测试包括11种电子、8种自旋电子、3种轨道电子、2种铁电和1种应变电子技术。2015年的ITRS2.0报告包括一个关于超越CMOS的详细章节，涉及RAM和逻辑门。

隧道结器件，如隧道场效应晶体管锑化铟晶体管碳纳米管场效应晶体管，如CNT隧道场效应晶体管石墨烯纳米带分子电子学自旋电子学-许多变体未来的低能量电子技术，超低耗散的传导路径。包括拓扑材料激子超流体光子学和光学计算超导计算快速单通量子（RSFQ）超导计算和RSFQ超导计算包括几个超越CMOS的技术，使用超导设备，即约瑟夫森结，用于电子信号处理和计算。国家安全局在2005年的一项技术调查中认为，尽管现有的超导体需要低温，但其中一个变体被称为快速单流量子（RSFQ）逻辑，是很有前途的。