锑化镓
编辑摩尔质量236.6 g mol物态
密度
5.75 克厘米
熔点
535 °C（分解）
几乎不溶于水
锑化铟 (InSb) 是铟 (In) 和锑 (Sb) 的化合物。 它是III-V族半导体之一。
属性
编辑在室温下，未掺杂锑化铟在所有已知半导体中具有xxx的电子迁移率 78,000 cm2/(V s)，这也导致了极高的（与其他材料相比）霍尔常数 -2.4 10 m/ C 解释。 它特别适用于生产速度非常快的电子开关。
此外，锑化铟在光电子学中用作红外传感器的材料，尤其是在1000 nm至5500 nm的波长范围内。
锑化铟半导体器件的扩散电压低于 0.5 V，与 0.7 V 的硅相比，这允许更低的工作电压，从而降低功率损耗。
获取和展示
编辑锑化铟在两种高纯度元素熔化在一起时形成：
I n + S b ⟶ I n S b
使用
编辑锑化铝铟之间的一层锑化铟可以作为量子阱。 这可用于构建非常快速的开关晶体管。 双极晶体管的工作频率最高可达 85 GHz，而场效应晶体管的工作频率最高可达 200 GHz。
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