电子迁移率

在固态物理学中，电子迁移率表征了当受到电场拉动时，电子可以在金属或半导体中移动的速度。孔有一个类似的量，称为孔迁移率。术语载流子迁移率通常指电子迁移率和空穴迁移率。

电子和空穴迁移率是带电粒子在外加电场下的电迁移率的特殊情况。

电子迁移率几乎总是在为单位指定厘米² /（V ⋅小号）。这是从不同SI迁移率的单元，米² /（V ⋅小号）。它们之间的关系为1 m ² /（V⋅s）= 10 ⁴ cm ² /（V⋅s）。

电导率与迁移率和载流子浓度的乘积成正比。例如，相同的电导率可能来自于每个具有高迁移率的少量电子，或来自每个具有低迁移率的大量电子。对于金属而言，通常情况并不重要，因为大多数金属的电行为仅取决于导电率。因此，迁移率在金属物理学中相对不重要。另一方面，对于半导体，晶体管的行为取决于存在的是低迁移率的电子是多少，还是高迁移率的电子很少，其他设备可能会有很大不同。因此，迁移率是半导体材料非常重要的参数。在其他条件相同的情况下，更高的移动性几乎总是可以带来更好的设备性能。

半导体迁移率取决于杂质浓度（包括施主和受主浓度）、缺陷浓度、温度以及电子和空穴浓度。它还取决于电场，特别是在发生速度饱和时在高电场下。它可以由霍尔效应确定，也可以根据晶体管的行为来推断。

迁移率通常是材料杂质和温度的强函数，并根据经验确定。流动性值通常以表格或图表形式显示。对于给定材料中的电子和空穴，迁移率也不同。

电子迁移率可以根据非接触激光光反射率测量来确定。当样品逐步聚焦时，进行一系列光反射测量。电子扩散长度和复合时间由对数据的回归拟合确定。然后使用爱因斯坦关系来计算迁移率。

电子迁移率可以通过时间分辨太赫兹探针测量来计算。飞秒激光脉冲激发半导体，并使用太赫兹探针测量产生的光电导率，该探针可检测太赫兹电场的变化。