砷化铟
编辑砷化铟是铟和砷的化合物。 它是一种半导体，属于III-V族半导体之一。砷化铟是一种由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料，化学式为InAs。它是灰色的立方晶体，熔点为942°C。
砷化铟与镓砷化物具有相似的性质，是一种直接带隙材料，在室温下的带隙为0.35 eV。砷化铟被广泛用于制造红外探测器，其波长范围为1-3.8 µm，通常采用光伏光电二极管制造。砷化铟也用于制造二极激光器。此外，砷化铟因其高电子迁移率和窄能隙而被广泛用作太赫兹辐射源。
摩尔质量：189.74 g mol
密度：5.68 克厘米
熔点：936℃
几乎不溶于水
属性
编辑砷化铟在闪锌矿结构中结晶：砷化物形成立方最密堆积，铟占据四面体空隙的一半。 半导体的带隙为 0.35 eV。
它是灰色的立方晶体，熔点为942°C。砷化铟与镓砷化物具有相似的性质，
是一种直接带隙材料，在室温下的带隙为0.35 eV。砷化铟被广泛用于制造红外探测器，其波长范围为1-3.8 µm，通常采用光伏光电二极管制造。
使用
编辑与其他 III-V 族半导体一样，砷化铟在半导体行业得到应用。它用于红外辐射探测器中的光电二极管。 另一个应用领域是激光二极管。
安全信息
编辑砷化铟含有砷，具有毒性和致癌性。
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