光敏电阻

光敏电阻，是一种光敏电阻。 照射在光敏电阻上的光线越多，它的电阻就越小。 与光电二极管等其他光敏电子元件相比，光敏电阻的反应速度非常慢。

通过烧结粉末将一薄层光敏半导体材料施加到陶瓷基体上。 电气连接由两个相互面对的随后应用的梳状金属表面组成。 结果，感光层的结构具有光电流横向流过的曲折形式。

整个组件配有连接线，并涂有或灌封有透明合成树脂。 带有玻璃窗和玻璃套管的密封金属外壳也很常见。

光敏电阻通常由硫化镉 (CdS) 或硒化镉 (CdSe) 层组成，其颜色敏感度曲线与人眼或照相胶片大致相同。

硫化镉在 520 nm 波长处具有xxx灵敏度，硒化镉在 730 nm 波长处具有xxx灵敏度。

对于红外线，使用硫化铅（波长 0.3 至 3.5 µm 的光谱灵敏度）和锑化铟（波长 4.5 至 6.5 µm）等材料。

对于适用于 LDR 的半导体，所使用的不是内部光电效应，而是缺陷过渡。 如果杂质被光电离，它会像掺杂剂一样持续几毫秒并增加电导率。 由于再次抵消干扰点需要相对较长的时间，因此获得了高灵敏度，但反应也较慢。 由于杂质的参与，光电导不仅取决于基材，还取决于微观结构和杂质。 所使用的半导体不必是非晶态的。

即使在长时间变暗后仍然存在的一些自由电荷载流子会导致暗电流。 这可以通过降低温度来减少。

光敏电阻的特征在于以下参数：

• 暗电阻（光敏电阻在黑暗中的电阻值），一般为1MΩ至100MΩ； 只有在黑暗几秒钟后才能到达
• 耐光性（1000 lx 时光敏电阻的电阻值），通常为 100 Ω 至 2 kΩ
• 响应时间（天黑后开启 1000 lux 照度直至电流达到其规定值的 65% 所经过的时间），典型值 1 至 3 ms
• 光谱范围（材料相关光谱灵敏度曲线）
• 缺点：温度敏感

例如，CdS 和 CdSe 光敏电阻被用于曝光计和暮光开关，以便能够以很少的技术努力测量甚至低水平的照度 - 光谱灵敏度与眼睛的光灵敏度曲线非常吻合。 当不需要快速响应时间时使用它。 例如，曲线特性允许使用分压器上的电压确定超过 4 个数量级的照度。

由于 LDR 运行缓慢，并且在xxx近似值下表现得像线性欧姆电阻器，因此带有光敏电阻的光耦合器已用于音频压缩器和压控滤波器（例如移相器）。