简并半导体

简并半导体是一种掺杂程度如此之高的半导体，以至于该材料开始表现得更像金属而不是半导体。 与非退化半导体不同，这类半导体不遵守质量作用定律，该定律将本征载流子浓度与温度和带隙联系起来。

在中等掺杂水平下，掺杂剂原子会产生单独的掺杂水平，这些掺杂水平通常可以被视为局部状态，可以通过热促进（或光学跃迁）分别向导带或价带提供电子或空穴。 在足够高的杂质浓度下，单个杂质原子可能变得足够近，以至于它们的掺杂水平合并到杂质带中，并且这种系统的行为不再显示半导体的典型特征，例如 它的电导率随温度升高。 另一方面，退化半导体的电荷载流子仍然比真正的金属少得多，因此它的行为在许多方面介于半导体和金属之间。

许多铜硫族化物是简并的 p 型半导体，在其价带中具有相对大量的空穴。

一个例子是具有 Mg 掺杂的系统 LaCuOS1-xSex。 它是一种宽禁带p型简并半导体。 空穴浓度不随温度变化，这是退化半导体的典型特征。

另一个众所周知的例子是氧化铟锡。 因为它的等离子体频率在红外线范围内，所以它是一种相当好的金属导体，但在可见光谱范围内是透明的。