自旋转移矩

自旋转移石 (STT) 是一种效应，其中磁性隧道结或自旋阀中磁性层的方向可以使用自旋极化电流进行修改。

电荷载流子（例如电子）具有称为自旋的特性，它是载流子固有的少量角动量。 电流通常是非极化的（由 50% 自旋向上和 50% 自旋向下的电子组成）； 自旋极化电流是一种具有更多自旋电子的电流。 通过使电流通过厚磁层（通常称为“固定层”），可以产生自旋极化电流。 如果这个自旋极化电流被引导到第二个更薄的磁性层（“自由层”），角动量可以转移到这个层，改变它的方向。 这可用于激发振荡甚至翻转磁铁的方向。 这些效果通常只在纳米级设备中可见。

自旋转移轴可用于翻转磁随机存取存储器中的有源元素。 自旋转移磁磁随机存取存储器（STT-RAM 或 STT-MRAM）是一种非易失性存储器，具有接近零的泄漏功耗，这是优于 SRAM 和 DRAM 等基于电荷的存储器的主要优势。 与使用磁场翻转有源元件的传统磁阻随机存取存储器 (MRAM) 相比，STT-RAM 还具有功耗更低和可扩展性更好的优势。 自旋转移技术有可能使 MRAM 设备结合低电流要求和降低成本； 然而，目前对于大多数商业应用来说，重新定向磁化所需的电流量过高，仅降低电流密度是目前自旋电子学学术研究的基础。

Hynix Semiconductor 和 Grandis 于 2008 年 4 月建立合作伙伴关系，以探索 STT-RAM 技术的商业开发。

日立和东北大学于 2009 年 6 月展示了 32 兆位 STT-RAM。

2011 年 8 月 1 日，Grandis 宣布已被三星电子收购，收购金额不详。

2011 年，Qualcomm 在 VLSI 电路研讨会上展示了采用 TSMC 的 45 nm LP 技术制造的 1 Mbit 嵌入式 STT-MRAM。

2011年5月，俄罗斯纳米技术公司宣布向Crocus Nano Electronics（与Crocus Technology的合资企业）投资3亿美元，在俄罗斯莫斯科建设MRAM工厂。

2012 年，Everspin Technologies 发布了xxx款商用 DDR3 双列直插式内存模块 ST-MRAM，容量为 64 Mb。

2019 年 6 月，Everspin Technologies 开始试生产 28 纳米 1 Gb STT-MRAM 芯片。

2019 年 12 月，英特尔展示了用于 L4 缓存的 STT-MRAM

其他致力于 STT-RAM 的公司包括 Avalanche Technology、Crocus Technology 和 Spin Transfer Technologies。