肖特基缺陷

肖特基缺陷是晶格中位点占据的激发，导致以沃尔特·H·肖特基命名的点缺陷。 在离子晶体中，当带相反电荷的离子离开它们的晶格位置并结合到例如表面，产生带相反电荷的空位时，就会形成这种缺陷。 这些空位以化学计量单位形成，以保持离子固体中的整体中性电荷。

肖特基缺陷由化学计量比的未占据的阴离子和阳离子位点组成。 对于 A−B+ 型的简单离子晶体，肖特基缺陷由单个阴离子空位 (A) 和单个阳离子空位 (B) 组成，或 v•_{A + v ′ B 遵循 Kröger–Vink 符号。 对于具有分子式 AxBy 的更一般的晶体，肖特基簇由 A 的 x 个空位和 B 的 y 个空位形成，因此整体化学计量和电荷中性是守恒的。 从概念上讲，如果晶体膨胀一个晶胞，就会产生肖特基缺陷，其先前的空位被扩散到内部的原子填充，从而在晶体中产生空位。}

当构成材料的阳离子和阴离子之间的尺寸差异很小时，最常观察到肖特基缺陷。

构成肖特基缺陷的空位具有相反的电荷，因此它们经历相互吸引的库仑力。 在低温下，它们可能形成束缚簇。

结合的簇通常不如稀释的对应物移动，因为多个物种需要以一致的运动移动以使整个簇迁移。 这对广泛应用的众多功能陶瓷具有重要意义，包括离子导体、固体氧化物燃料电池和核燃料。

这种类型的缺陷通常在高离子化合物、高配位化合物中观察到，并且构成化合物晶格的阳离子和阴离子的大小差异很小。

观察到肖特基紊乱的典型盐是 NaCl、KCl、KBr、CsCl 和 AgBr。 对于工程应用，肖特基缺陷在具有萤石结构的氧化物中很重要。

通常，空位的形成体积是正的：由于缺陷周围的应变引起的晶格收缩不能弥补由于额外数量的位点引起的晶体膨胀。 因此，固体晶体的密度小于材料的理论密度。