稀磁半导体

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稀磁半导体是化合物半导体的晶体部分中,磁带原子(铁、锰、铬被替换等)磁性半导体是。短DMS(d Iluted 中号 Agnetic 小号 Emiconductor)。 已经从以第一原理计算为代表的理论方面和通过分子束外延进行晶体生长的实验方面进行了研究。 当前稀磁半导体的弱点是居里温度低。大多数事物只有在用液氮等冷却后才显示出铁磁性,并且磁性在室温下消失。有报道说在室温下有铁磁性,...

稀磁半导体

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稀磁半导体化合物半导体的晶体部分中,磁带原子(铁、锰、铬被替换等)磁性半导体是。短DMS(d Iluted 中号 Agnetic 小号 Emiconductor)。

已经从以xxx原理计算为代表的理论方面和通过分子束外延进行晶体生长的实验方面进行了研究。

当前稀磁半导体的弱点是居里温度低。大多数事物只有在用液氮等冷却后才显示出铁磁性,并且磁性在室温下消失。有报道说在室温下有铁磁性,但仍处于实验室水平,人们认为将其投入实际应用还需要时间。

半导体产业

DMS示例

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  • (In、Mn)As(砷化铟锰)
  • (Ga、Mn)As(砷化镓锰)
  • (GA、MN)N(镓锰氮化物)
  • (锌,铬)碲(锌铬特柳赖德)

写记号(A、B)C是为了强调B原子在A位点被取代。有一些样式,这不是xxx的。

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