场效应管

场效应管，是一种类型的绝缘栅的场效应晶体管是由所制造的受控氧化一个的半导体，典型地硅。被覆盖的栅极的电压决定了器件的电导率。这种随施加电压量改变电导率的能力可用于放大或切换电子信号。

场效应管是由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明的，并于1960年首次推出。它是现代电子技术的基本组成部分，也是历史上最频繁制造的器件，估计总共有13 亿六千亿美元。 （1.3 × 10 ²²）的MOSFET 1960和2018之间。制造这是主要的半导体器件在数字和模拟 集成电路（IC）的，和最常见的功率器件。它是一种紧凑型晶体管，已被微型化并批量生产，可用于广泛的应用范围，彻底改变了电子行业和世界经济，并成为数字xxx、硅时代和信息时代的核心。自1960年代以来，场效应管的缩小和小型化一直在推动电子半导体技术的迅猛发展，并实现了诸如存储芯片和微处理器之类的高密度IC。场效应管被认为是电子行业的“主力军”。

双极结型晶体管（BJT）相比，场效应管的关键优势在于几乎不需要输入电流即可控制负载电流。在增强模式场效应管中，施加到栅极端子的电压可从“常关”状态增加电导率。在耗尽型MOSFET中，施加在栅极上的电压会使导电率从“常开”状态降低。场效应管也能够高可扩展性的，随着小型化，并且可以容易地按比例缩小到更小的尺寸。它们还具有更快的切换速度（适用于数字信号），与BJT相比，它的尺寸小得多，消耗的功率明显减少，并允许更高的密度（适合大规模集成）。MOSFET也更便宜并且具有相对简单的处理步骤，从而提高了生产良率。

场效应管既可以作为MOS集成电路芯片的一部分制造，也可以作为分立的MOSFET器件（例如功率场效应管）制造，并且可以采用单栅极或多栅极晶体管的形式。由于MOSFET可以用p型或n型半导体（分别为PMOS或NMOS逻辑）制成，因此互补对场效应管可以用于制造功耗非常低的开关电路：CMOS（互补MOS）逻辑。

名称“金属-氧化物-半导体”（MOS）通常是指金属栅极，氧化物绝缘层和半导体（通常是硅）。然而，场效应管的名称中的“金属”有时用词不当，因为栅极材料也可以是一层多晶硅（多晶硅）。除了氧化物之外，还可以使用不同的介电材料，以在较小的施加电压下获得坚固的沟道。所述MOS电容器也是MOSFET结构的一部分。