高通快充

高通快充 (QC) 是 Qualcomm 开发的专有电池充电协议，用于管理通过 USB 传输的电源，主要通过与电源通信和协商电压来实现。

高通快充支持运行在高通SoC上的手机等设备，以及部分充电器； 设备和充电器都必须支持QC，否则无法实现QC充电。通过增加 USB 充电器提供的输出电压，它可以比标准 USB 更快地为设备中的电池充电，同时采用技术防止不受控制的快速充电和内部调节输入电压造成电池损坏。通常，支持高通快充2.0及以后版本的充电器都是Wall Adapter，但在一些车载充电器上实现了，一些移动电源也用它来接收和传送充电。

高通快充也被其他制造商专有的快速充电系统使用。

高通快充是一项专有技术，允许为电池供电设备（主要是手机）充电，功率水平超过 2 安培时的 5 伏特，因此基本 USB 标准允许的 10 瓦特 - 不考虑 USB 供电（USB PD) 标准——同时仍然保持与现有 USB 线的兼容性。

升高的电压允许通过电缆的铜线推动更高的功率（瓦数），而不会进一步加热它们并有热损坏的风险。

如欧姆定律所述，升高电压的另一个好处是，由于它补偿了电阻较高的电线的压降，因此提高了通过更长 USB 电缆的能力。

虽然没有公开记录，但协议（例如设备和充电器之间的电压协商）已经过逆向工程，并且可以使用模拟与终端设备协商的触发电路从充电器手动请求自定义电压。

使用高通快充需要供电主机和设备都支持。

高通快充 2.0 引入了一项名为 Dual Charge（最初称为 Parallel Charging）的可选功能，使用两个 PMIC 将电源分成 2 个流以降低手机温度。

高通快充 3.0 引入了 INOV（最佳电压智能协商）、节电技术、HVDCP+ 和可选的双充电 +。INOV 是一种算法，可在最大化效率的同时确定最佳功率传输。

高通声称，高通快充 3.0 比高通快充2.0 最高可降低 4–6°C，速度提高 16%，效率提高 38%，而采用双充电+的高通快充 3.0 最高可降低 7–8°C，比高通快充快2.0 %，效率高 45%，双充电。

高通快充 4 于 2016 年 12 月与骁龙 835 一起发布。高通快充 4 包括 HVDCP++、可选DualCharge++、INOV 3.0 和 Battery Saver Technologies 2。它与 USB-C 和 USB PD 规范交叉兼容，支持如果充电器或设备不兼容，则回退到 USB PD。但是，高通快充4充电器不向下兼容高通快充。它还具有额外的安全措施以防止过压、过流和过热，以及电缆质量检测。

高通声称，与双充电 + 的高通快充 3.0 相比，双充电 ++ 的高通快充 4 温度最高可降低 5°C，速度提高 20%，效率提高 30%。

高通快充 4+于2017 年6月1日发布。它引入了智能热平衡和高级安全功能，以消除热点并防止 USB-C 连接器过热和短路或损坏。Dual Charge++ 是强制性的，而在以前的版本中 Dual Charge 是可选的。与高通快充4不同，高通快充4+完全向后兼容高通快充C 2.0和3.0设备。

高通快充 5 于 2020 年 7 月 27 日发布。凭借高达 100 W 的功率，在配备 4500 mAh 电池的手机上，高通声称仅需 5 分钟即可充满 50%。

高通宣布该标准与USB PD PPS可编程电源交叉兼容，其技术可在双电芯充电时与充电器通信，双倍输出电压和电流。例如，单个电池需要 8.8 V 的电源。双电池然后可以要求 PPS 充电器输出 17.6 伏并将其分成两半给两个单独的电池，总共拉动 5.6 安培以达到 100 瓦。

2019 年 2 月 25 日，高通宣布了无线充电的高通快充。