结型场效应管

结型场效应晶体管（结型场效应管）是最简单的一种场效应晶体管。 结构型应用管是三端半导体器件，可用作电子控制开关或电阻器，或用于构建放大器。

与双极结型晶体管不同，结型场效应管完全由电压控制，因为它们不需要偏置电流。 电荷流过源极和漏极端子之间的半导体通道。 通过向栅极端子施加反向偏置电压，沟道被夹紧，从而电流被阻碍或完全切断。 当栅极和源极端子之间的电压为零时，结构效应管通常会导通。 如果在其栅极和源极端子之间施加适当极性的电势差，则结构效应管对电流流动的阻力更大，这意味着源极和漏极端子之间的沟道中流动的电流更少。

结构效应管有时被称为耗尽型器件，因为它们依赖于耗尽区原理，即没有多数载流子。 耗尽区必须关闭才能使电流流动。

结构有效应用管可以具有 n 型或 p 型通道。 在n型中，如果施加到栅极的电压相对于源极为负，则电流将减小（在p型中类似，如果施加到栅极的电压相对于源极为正）。 由于共源或共漏配置中的结构效应管具有较大的输入阻抗（有时约为 1010 欧姆），因此从用作栅极输入的电路中汲取的电流很少。

结构场效应管是半导体材料的长通道，掺杂有大量正电荷载流子或空穴（p 型），或负载流子或电子（n 型）。 两端的欧姆接触形成源极 (S) 和漏极 (D)。 pn 结形成在沟道的一侧或两侧，或使用掺杂与沟道相反的区域围绕它，并使用欧姆栅极接触 (G) 进行偏置。

模型场效管的操作可以比作花园水管。 可以通过挤压软管以减小横截面来控制流过软管的水流，并通过收缩载流通道来控制通过结构效应管的电荷流。 电流还取决于源极和漏极之间的电场（类似于软管两端的压力差）。

这是饱和区，结构效应管通常在这个恒流区运行，器件电流几乎不受漏源电压的影响。 结型场效应管与结型晶体管和热电子管（阀）四极管和五极管共享这种恒流特性。

导电沟道的收缩是使用场效应完成的：在栅极和源极之间施加电压以反向偏置栅极 - 源极 pn 结，从而加宽该结的耗尽层，侵占 导电通道并限制其横截面积。 之所以称为耗尽层，是因为它耗尽了移动载流子，因此在实际应用中是不导电的。