锑化镓
编辑摩尔质量191.48 g mol聚集态
密度
5.61 克厘米
712℃
几乎不溶于水
折射率
3.8
化合物半导体锑化镓 (GaSb) 是一种带隙为 0.72 eV (300 K) 的直接型半导体。 它由元素镓 (Ga) 和锑 (Sb) 组成。
获取和展示
编辑锑化镓可以通过在惰性气氛中将等量的镓和锑熔化在一起而获得。
属性
编辑与大多数III-V族半导体一样，晶体结构为闪锌矿结构，晶格常数为6.09593埃，相当于3.53 10 原子/厘米。
与大多数其他半导体不同的是，锑化硅不可能做到半绝缘。 也就是说，名义上未掺杂的锑化镓具有自然的 p 电导率（10 至 10 厘米）。 天然受体仍然是当前讨论的话题。
镓空位或镓空位络合物或锑晶格位置上的镓原子被认为可能是其原因。 锑化镓是抗磁性的。
使用
编辑GaSb是用于生产光电元件等。 B. 具有低阈值电压的激光二极管、具有高量子效率的光电探测器或高频元件越来越重要。
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