二硅化钨

硅化钨（WSi2）是一种无机化合物，是钨的硅化物。 它是一种导电陶瓷材料。

硅化钨能与强酸、氟、氧化剂、卤间化合物等物质发生剧烈反应。

在微电子学中用作接触材料，电阻率为60–80 μΩ cm； 它在 1000 °C 时形成。 它通常用作多晶硅线上的分流器，以增加它们的导电性和信号速度。 硅化钨层可以通过化学气相沉积制备，例如 使用甲硅烷或二氯硅烷与六氟化钨作为源气。 沉积的薄膜是非化学计量的，需要退火才能转化为更具导电性的化学计量形式。 硅化钨是早期钨薄膜的替代品。 硅化钨也用作硅和其他金属（例如金属）之间的阻挡层。

硅化钨在微机电系统中也很有价值，它主要用作制造微型电路的薄膜。 为了这样的目的，硅化钨薄膜可以使用例如等离子蚀刻。

WSi2 在作为抗氧化涂层的应用中表现良好。 特别是，与二硅化钼 MoSi2 相似，二硅化钨的高发射率使这种材料对高温辐射冷却具有吸引力，对隔热板具有重要意义。