一碲化锗 (GeTe) 是锗和碲的化合物，是硫族化物玻璃的成分。 它显示出半金属导电和铁电行为。

一晶化锗存在三种主要晶型，室温α（菱面体）和γ（斜方晶）结构和高温β（立方，岩盐型）相； 在大约 670 K 的铁电居里温度以下，α 相是纯 GeTe 的大部分相。

掺杂的碲化锗是一种低温超导体。

固态 GeTe 可以在非晶态和晶态之间转换。 晶态具有低电阻率（在室温下为半导体），非晶态具有高电阻率。 取决于薄膜质量、GeTe 成分和成核位点形成，电阻率的差异可能高达六个数量级。 材料特性的急剧变化已在数据存储应用中得到利用。 GeTe 的相变可以快速、可逆和可重复，具有剧烈的特性变化，使 GeTe 成为射频 (RF) 开关和直流 (DC) 开关等应用中有前途的候选者。 有关相变和射频 (RF) 开关相关机制的研究正在进行中，在电信应用的优化方面前景广阔。虽然两种固态都可以在室温下存在，但相变需要特定的加热和冷却过程，称为热驱动 方法。 为了达到无定形状态，在短时间内用高电流脉冲将固体加热到超过熔化温度，然后迅速淬火或冷却。 当GeTe用相对较长和较低的电流脉冲加热到低于熔化温度的结晶温度时发生结晶，并且电流逐渐减小的缓慢淬火过程。 直接和间接加热都可以引起相变。 焦耳加热方法是常见的直接加热方法，间接加热可以通过在射频开关中添加一层单独的介电材料来实现。 GeTe 的晶体结构是菱形扭曲的岩盐型结构，在室温下形成面心立方 (FCC) 亚晶格。

半导体 GeTe 纳米线 (NW) 和纳米螺旋 (NH) 通过气相传输方法合成，金属纳米粒子催化剂。 GeTe 在最佳温度、压力、时间和气体流速下被 Ar 气蒸发并携带到下游收集/生长点（SiO2 表面涂有胶体金纳米粒子）。 超过 500 °C 的高温会产生更粗的纳米线和结晶块。 Au 对于 NW 和 NH 的生长至关重要，被认为是反应的金属催化剂。 该方法产生 NW 和 NH，Ge 和 Te 的比例为 1:1。 通过这种方法生产的 NW 平均直径约为 65 nm，长度可达 50 μm。 NHs 的螺旋直径平均为 135 nm。

上述合成尚未达到显示量子尺寸效应所需的尺寸。 达到量子态的纳米结构表现出在更大尺度上看不到的一组不同现象，例如，自发的极性排序和衍射点的分裂。 平均尺寸为 8、17 和 100 nm 的 GeTe 纳米晶体的合成涉及二价 Ge(II) 氯化物 – 1,4 二恶烷络合物和双 [双（三甲基甲硅烷基）氨基]Ge（II）和三辛基膦-碲在溶剂中，例如 如 1,2-二氯苯或苯醚。 Ge(II) 还原动力学被认为决定了 GeTe 的形成。 较大的Ge(II)还原率可能导致粒子成核率增加，导致粒子直径减小。

GeTe 已大量用于 CD、DVD 和蓝光等非易失性光学数据存储，并可能取代动态和闪存随机存取存储器。探索了用于光存储的 GeTe 和 Sb2Te3 的相变特性。 较短的结晶时间、可循环性和高光学对比度使这些材料比过渡时间较慢的 Te81Ge15Sb2S2 更好。

非晶态和晶态之间电阻率的高反差以及反复反转转变的能力使 GeTe 成为 RF 开关的良好候选者。 RF 需要在基板表面沉积一层薄薄的 GeTe 薄膜。 种子层结构、前体成分、沉积温度、压力、气体流速、前体鼓泡温度和基材都对薄膜性能有影响。