RDRAM

RDRAM（RDRAM）是美国Rambus公司开发的一种同步DRAM。

Rambus 解决方案由三部分组成：Rambus 控制器、Rambus 通道和 RDRAM。

Rambus 体系结构可以管理多个独立的 Rambus 通道。 Rambus 通道接口包含一个只有 16 或 18 位（带 ECC）宽的数据总线。 地址总线为 8 位宽，并具有用于行和列选择的单独线路。 优势：在传输来自前一个命令的数据时，可以同时独立访问行和列。

与 DDR-SDRAM 一样，直接 RDRAM (DRDRAM) 使用两个信号边沿进行数据传输。 在简化命名过程中，今天只使用术语 RDRAM。

每个单独的 RDRAM IC 都具有通道的完整数据宽度。 然而，与 64 位内存总线相比，通道的时钟必须相应地高，才能获得有竞争力的带宽。

在某些架构中，RDRAM 必须成对安装，任何未使用的内存插槽必须以 CRIMM 终止。

RDRAM 到内存矩阵的内部数据传输与通道的数据宽度和时钟有很大不同：在内部，使用时钟频率为 100 MHz 的 128 位宽数据路径（ECC 为 144 位）。 这意味着每 10 ns 可以将 128 位从内存矩阵传输到内存矩阵 - 这对应于 1.6 GB/s 的通道传输速率。 内部 RDRAM 逻辑将数据分成 16 位数据包，然后以 800MHz 的通道时钟速度通过 I/O 引脚将它们传输到总线上。 由于 IC 的全数据宽度，访问时数据不会分布在所有组件中，而是连续存储在一个芯片上。 缺点：突发访问时芯片发热较大，需要额外的散热措施。 因此，Rambus 模块配备了额外的冷却板，旨在确保充分散热。 由于散热器的温度在正常运行期间可能超过 60 °C，因此模块上会出现相应的警告，通常以警告标志“警告 - 热表面”的形式出现。

每个通道最多可以管理 32 个 RDRAM 芯片。 在芯片和 Rambus 控制器之间交错重叠传输提高了连续数据流的效率。 此外，单个 RDRAM 的存储体数量很多。 每个 IC 最多 16 个组可以并行处理命令，并在总线上的大量数据流量下确保高效率。