混合集成电路

混合集成电路（HIC），是单独的装置，例如半导体器件的构造的小型化的电子电路（例如晶体管，二极管或单片集成电路）和无源元件（例如电阻器、电感器、变压器和电容器），并粘结到基板或印刷电路板（PCB）上。在PCB上具有一个部件印刷线路板根据MIL-PRF-38534的定义，（PWB）不被视为真正的混合电路。

当前使用的术语“ 集成电路 ”是指单片集成电路，其与HIC的显着不同之处在于，HIC是通过将多个组件互连在基板上而制造的，而IC的（单片）组件是串联制造的个步骤完全在单个晶片上完成，然后将其切成芯片。一些混合电路可能包含单片IC，尤其是多芯片模块（MCM）混合电路。

厚膜技术通常用作混合集成电路的互连介质。丝网印刷厚膜互连的使用提供了优于薄膜的多功能性的优点，尽管特征尺寸可能更大，而沉积电阻的公差也更大。多层厚膜是一种使用丝网印刷绝缘电介质来进一步改善集成度以确保仅在需要时进行层之间连接的技术。电路设计人员的一个主要优势是，可以自由选择厚膜技术中的电阻值。平面电阻器也经过丝网印刷，并包含在厚膜互连设计中。可以选择电阻的组成和尺寸以提供所需的值。最终电阻值由设计决定，可以通过以下方法进行调整激光修整。一旦混合电路中完全装有元件，可以通过主动激光修整在最终测试之前进行微调。

1960年代还采用了薄膜技术。Ultra Electronics使用石英玻璃基板制造电路。通过溅射沉积钽膜，然后通过蒸发沉积金层。在施加光致抗蚀剂之后，首先蚀刻金层，以形成兼容焊料的连接焊盘。电阻网络也通过光刻胶和蚀刻工艺形成。通过薄膜的选择性阳极氧化将它们修整到高精度。电容器和半导体采用LID（无铅倒置器件）的形式，通过从下侧选择性加热基板来焊接到表面。将完成的电路灌封在邻苯二甲酸二烯丙酯树脂中。使用这些技术制作了一些定制的无源网络，例如一些放大器和其他专用电路。

一些现代混合电路技术，如LTCC -底物杂交体，允许在除了放置在基片的表面上的部件的多层基板的各层内的组件的嵌入。这种技术产生的电路在某种程度上是三维的。

在电话的早期，包含变压器和电阻器的单独模块被称为混合或混合线圈。它们已被半导体集成电路所取代。

在晶体管的早期，混合电路一词被用来描述具有晶体管和真空管的电路; 例如，音频放大器，其晶体管用于电压放大，随后是真空管功率输出级，因为没有合适的功率晶体管。这种用法和设备已经过时，但是使用电子管前置放大器级与固态输出级耦合的放大器仍在生产中，因此被称为混合放大器。