光电导效应

光导效应是一种光学和电学现象，其中材料由于吸收电磁辐射而变得更具导电性。

当光被半导体等材料吸收时，自由电子和空穴的数量会增加，从而导致导电性增加。 要引起激发，撞击半导体的光必须具有足够的能量来提升电子穿过带隙，或激发带隙内的杂质。 当偏置电压和负载电阻与半导体串联使用时，当材料电导率的变化改变通过电路的电流时，可以测量负载电阻两端的压降。

分子光电导体包括有机、无机和配位化合物。

当光电导材料作为电路的一部分连接时，它起到电阻器的作用，其电阻取决于光强度。 在这种情况下，该材料称为光敏电阻（也称为光敏电阻或光电导体）。 光敏电阻最常见的应用是用作光电探测器，即测量光强度的设备。 光敏电阻不是xxx类型的光电探测器——其他类型包括电荷耦合器件 (CCD)、光电二极管和光电晶体管——但它们是最常见的。 经常使用光敏电阻的一些光电探测器应用包括相机测光表、路灯、时钟收音机、红外探测器、纳米光子系统和低维光传感器设备。

敏化是放大光电导材料响应的重要工程过程。 光电导增益与光激发载流子（电子或空穴）的寿命成正比。 敏化涉及有意的杂质掺杂，使具有短特征寿命的天然重组中心饱和，并用具有更长寿命的新重组中心替换这些中心。 如果正确完成，此过程会导致光电导增益增加几个数量级，并用于生产商用光电导设备。

一些材料在暴露于照明时表现出光电导性的劣化。 一个突出的例子是氢化非晶硅 (a-Si:H)，其中可以观察到光电导率的亚稳态降低。 据报道，其他表现出负光电导性的材料包括二硫化钼、石墨烯、砷化铟纳米线、装饰碳纳米管和金属纳米粒子。

在这种材料中，还证明了光感应磁化熔化，因此可用于磁光设备和数据存储。

称为光电导光谱（也称为光电流光谱）的表征技术广泛用于研究半导体的光电特性。