磷化铟

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摩尔质量145.79 g mol聚集态 牢牢 密度 4.79 克厘米 熔点 1070℃ 溶解度 几乎不溶于水 磷化铟是二元 III-V 族化合物半导体中的一种半导体化合物,用于激光的高频技术,通过光纤电缆在 1550 nm 左右进行低损耗、远程数据通信、高性能电子产品和时钟频率高达 1 THz 及以上的集成电路(三明治芯片)的制造以及高频技术领域...

磷化铟

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摩尔质量145.79 g mol聚集态

牢牢

密度

4.79 克厘米

熔点

1070℃

溶解度

几乎不溶于水

磷化铟是二元 III-V 族化合物半导体中的一种半导体化合物,用于激光的高频技术,通过光纤电缆在 1550 nm 左右进行低损耗、远程数据通信、高性能电子产品时钟频率高达 1 THz 及以上的集成电路三明治芯片)的制造以及高频技术领域的组件,例如耿氏二极管。 这些应用领域的原因是与硅相比,晶格中的电子迁移率非常高。

炼化铟具有直接带隙,使该化合物非常适合激光二极管、LED、探测器和其他光电应用。 此外,磷化铟适合作为光子晶体的基础材料

出现次数

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炼化铃是人为制造的连接。 在这两种成分中,与磷不同,铟是一种稀有元素

磷化铟

属性

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温度相关的带隙在 300 K(约 27 °C)时的值为 1.34 eV。

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