DDR SDRAM

DDR SDRAM，是一种基于半导体的RAM类型，由SDRAM进一步发展而来。 目前（2021年）有五代，第5代（DDR5）于2019年指定并于2021年上市。这些主要用于DIMM和SO-DIMM标准的内存模块以及PC中的主内存和笔记本电脑。 移动设备（低功耗 SDRAM）和图形内存都有单独的规范。

• ↑ 1.35 V 标有 L 表示低，1.25 V 标有 U 表示超低
• ↑ Non-ECC RAM 也有奇偶校验位，内存用于独立于 CPU 的内部内存校正
• ↑ 每 64 位内存行的奇偶校验位从 8 位增加到 16 位，可对两位错误进行纠错

DDR SDRAM 本身不允许更高的数据速率，因为 SDR 和 DDR 中的实际数据传输发生在相同的时序和相同的问题上。 与 SDR 相比（也是xxx的显着差异），DDR 过程解决了时钟传输问题：使用 SDR，在最坏的情况下，时钟信号的频率是数据信号的两倍。 时钟信号每个时钟有两个电平变化，数据信号最多有一个电平变化。 DDR 传输不再是这种情况，为此，必须使用本地锁相环 (PLL) 将 DDR RAM 模块中的时钟再次加倍。

有时时钟的进一步划分是常见的。 在某些情况下，用于命令和数据传输的不同时钟也很常见。 这是例如 例如，GDDR-6 RAM 就是这种情况。 “18 GHz”GDDR-6 RAM 使用 4.5 GHz 时钟信号，并在 18 GHz 下每条数据线传输 1 位。

虽然“普通”SDRAM 模块提供 1.06 GB/s 的数据传输速率和 133 MHz 的时钟，但具有 DDR SDRAM (133 MHz) 的模块的数据传输速率几乎是其两倍。 这是通过一个相对简单的技巧实现的：一个数据位在时钟信号的上升沿和下降沿都被传输，而不是像以前那样只在上升沿传输。

为了使双倍数据速率方法实现加速，连续请求数据的数量（=“突发长度”）必须始终等于或大于总线宽度的两倍。 由于情况并非总是如此，因此与具有相同时钟的简单 SDRAM 相比，DDR SDRAM 的速度并不完全快两倍。 另一个原因是地址和控制信号，与数据信号不同，只在时钟边沿给出。

DDR-200 到 DDR-400 以及用它们构建的 PC-1600 到 PC-3200 内存模块被 JEDEC 标准化为 JESD79。 所有偏离此的模块都基于基于标准的名称，但每个制造商都使用自己的电气特性规范 - 这些模块通常作为“超频内存”提供 - 并且经常在过压下工作。

服务器中经常使用的带有 ECC（错误检查和纠正）的内存模块或带有信号缓冲器的已注册模块带来了安全性提升。 但是，这仅适用于明确支持这些内存模块的情况，通常 ECC 模块在普通台式机主板上根本无法工作。

DDR2 SDRAM 是 DDR SDRAM 概念的进一步发展，其中使用四重预取而不是双重预取。

桌面 com 模块计算机有 240 个而不是 184 个触点/引脚，并且在机械和电气方面与xxx代 DDR 模块不兼容。 不同的槽口可防止混淆。

内存芯片采用 FBGA（精细球栅阵列）技术封装，比 TSOP（薄小外形封装）外壳中的标准 DDR-RAM 更小（126 mm² 而不是之前的 261 mm²）。

对于 DDR2 SDRAM，I/O 缓冲器的时钟频率是内存芯片的两倍。 与较旧的 DDR 标准一样，有效数据在时钟信号的上升沿和下降沿均获得。 由于相应标准的预取方法，对于 DDR SDRAM（至少），两个连续地址通过读取命令读取，对于 DDR2 SDRAM 则为四个。 从 64 位宽的 DDR 模块，每次读取访问读取 128 位，从 DDR2 模块读取 256 位。 但是，对于相同的 200 MHz I/O 时钟，数据的xxx量保持不变，例如，因为 DDR2 模块需要两个时钟而不是一个时钟来传输数据。 DDR2 仅支持两种可能的突发长度（单个命令可以读取或写入的数据字数），即 4（由于四重预取）或 8，而 DDR 支持 2、4 或 8。

为了降低电力消耗，DDR2 SDRAM 的信号和电源电压被降低到 1.8 V（DDR SDRAM 为 2.5 V）。 除其他外，由于电压降低和由此产生的热量减少，更高的时钟速率是可能的。

DDR2-SDRAM 芯片与“片上终端”(ODT) 一起工作。 内存总线不再需要在模块板（或板）上端接。 终端功能已直接集成到芯片中，从而节省了空间和成本。 使用 ODT，内存控制器在总线上发出一个信号，使所有不活动的内存芯片切换到终止状态。 这意味着数据线上只有活动信号，几乎不可能发生干扰。

原则上，DDR2 模块可用于任何带 DDR2 插槽的主板，无论其各自的速度规格如何。 内存控制器确保比主板慢的内存模块仅以它们设计的时钟速度运行。

还可以根据需要组合具有不同时钟速率的 DDR2 模块。 然而，在大多数情况下，整个内存只能以最慢模块的速度工作。

然而，由于 JEDEC 规范并不精确，某些主板和某些内存模块之间可能存在兼容性问题。 这些问题通常可以通过更新 BIOS 来解决。 在任何情况下，只能假定主板的所谓 QVL（合格供应商列表）上的内存可以在该主板上工作。

²：与CPU或主板的内存控制器连接的速度³：与SDR-SDRAM相比的有效时钟（理论上）PC2-XY00：XY00的计算方式为（4×内存时钟×总线宽度）/8（总线width = 64 位）并对应于以 MB/s 为单位的数据速率。

DDR2-400 到 DDR2-1066 以及用它们构建的 PC2-3200 到 PC2-8500 内存模块由 JEDEC 标准化。 所有偏离此的模块都基于基于标准的名称，但每个制造商都设置了自己的电气特性规范 - 通常作为“超频内存”提供的模块 - 并且经常在过压下工作。

DDR3-SDRAM 是 DDR2-SDRAM 概念的进一步发展，它使用八倍预取而不是四倍预取。

容量至少为 512 兆位的芯片以每秒 8500 兆字节的速度处理数据，因此比 DDR-400 或 DDR2-800 SDRAM 快得多。 但是，CAS 延迟更高。 DDR3 SDRAM 在 1.5 V 而不是 1.8 V 下运行，因此更适合移动应用，因为在移动应用中电池寿命很长。 低压版本 (DDR3L) 可以在合适的主板上以 1.35 V 运行。 超低电压 (DDR3U) 版本设计为在 1.25V 下运行。

DDR3 SDRAM 内存模块 (DIMM) 有 240 个触点/引脚。 尽管具有相同数量的引脚，但它们与 DDR2 SDRAM 不兼容并且具有不同的槽口。 用于笔记本电脑的 SODIMM 模块有 204 个触点，而 DDR2 变体和 DDR1 变体有 200 个触点。