功率MOSFET

功率 MOSFET 是一种特殊类型的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，旨在处理高功率水平。 与绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或晶闸管等其他功率半导体器件相比，其主要优点是开关速度快，低电压下效率高。 它与 IGBT 共享一个隔离门，使其易于驱动。 它们可能会受到低增益的影响，有时增益会达到栅极电压需要高于受控电压的程度。

自 1960 年代以来用于制造集成电路的 MOSFET 和 CMOS 技术的发展使功率 MOSFET 的设计成为可能。 功率 MOSFET 与其低功率对应物横向 MOSFET 共享其工作原理。 功率电子设备中常用的功率 MOSFET 是从标准 MOSFET 改编而来，并于 1970 年代投入商用。

功率 MOSFET 是世界上最常见的功率半导体器件，由于其低栅极驱动功率、快速开关速度、易于高级并联能力、宽带宽、坚固耐用、易于驱动、简单偏置、易于应用和易于维修 . 特别是，它是使用最广泛的低压（低于 200 V）开关。 它可以在广泛的应用中找到，例如大多数电源、DC-DC 转换器、低压电机控制器和许多其他应用。

VMOS 和 DMOS 发展成为众所周知的 VDMOS（垂直 DMOS）。 John Moll 在惠普实验室的研究团队于 1977 年制造了 DMOS 原型，并展示了优于 VMOS 的优势，包括更低的导通电阻和更高的击穿电压。 同年，日立推出了平面型 DMOS LDMOS（横向 DMOS）。 日立是1977年至1983年间xxx的LDMOS制造商，期间LDMOS被HH Electronics（V系列）和Ashly Audio等制造商用于音频功率放大器，并用于音乐和公共广播系统。 随着1995年2G数字移动网络的推出，LDMOS成为2G、3G、4G等移动网络中应用最广泛的射频功率放大器。

Alex Lidow 于 1977 年在斯坦福大学与 Tom Herman 共同发明了 HexFET，一种六角型的功率 MOSFET。 HexFET 于 1978 年由 International Rectifier 商业化。绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了功率 MOSFET 和双极结型晶体管 (BJT) 的元件，由通用电气的 Jayant Baliga 在 1977 年至 1979 年间开发。

超级结MOSFET是一种功率MOSFET，它使用穿透N-外延层的P+柱。 堆叠 P 层和 N 层的想法最早是由 Shozo Shirota 和 Shigeo Kaneda 于 1978 年在大阪大学提出的。

功率MOSFET是世界上应用最广泛的功率半导体器件。 截至 2010 年，功率 MOSFET 占功率晶体管市场的 53%，xxx于绝缘栅双极晶体管 (27%)、射频功率放大器 (11%) 和双极结型晶体管 (9%)。 截至 2018 年，每年出货超过 500 亿个功率 MOSFET。 其中包括截至 2017 年 2 月售出超过 1000 亿个的沟槽功率 MOSFET，以及截至 2019 年售出 50 亿个的意法半导体的 MDmesh（超结 MOSFET）。

效率 MOSFET 通常用于各种消费电子产品。

射频 DMOS，也称为射频功率 MOSFET，是一种专为射频 (RF) 应用而设计的 DMOS 功率晶体管。 它用于各种无线电和射频应用。

效率 MOSFET 广泛应用于交通技术，其中包括各种车辆。

在汽车行业，功率MOSFET广泛应用于汽车电子。

效率 MOSFET（包括 DMOS、LDMOS 和 VMOS）通常用于广泛的其他应用。