氧化物薄膜晶体管
编辑氧化物薄膜晶体管（氧化物TFT）或金属氧化物薄膜晶体管是一种薄膜晶体管，其中半导体是金属氧化物化合物。 氧化物 TFT 不同于金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，其中氧化物一词指的是绝缘栅极电介质（通常为二氧化硅）。 在氧化物 TFT 中，氧化物一词指的是半导体。 氧化物 TFT 可用作放大器以向显示器背板中的发射器输送电流。
属性
编辑氧化物具有多种特性，使其优于氢化非晶硅 (a-Si:H)，后者是 2000 年代初期的主流 TFT 技术。 首先，氧化物 TFT 的电子迁移率大约高 100 倍。 因为晶体管中的源极-漏极电流与电子迁移率成线性比例，所以放大特性也是如此。 这样做的结果是可以使用更小的晶体管来提供相同的电流。 在显示器中，这意味着更高的分辨率和切换速度是可能的。
a-Si:H 还存在环境稳定性问题，例如 Staebler-Wronski 效应。 由于氧化物已经被氧化，它们通常对环境更稳定，但它们确实会经历一种称为负偏置照明应力 (NBIS) 的现象，即阈值电压在恒定照明下会发生变化。
大多数 n 型（电子传输）氧化物 TFT 使用具有宽带隙的半导体； 一般大于 3 eV。 因此，它们在全透明电子产品中的应用很有吸引力。 它们的宽带隙也意味着它们具有低关断电流，因此具有高开/关比； 明确定义的开启和关闭状态的理想属性。
氧化物 TFT 的一个显着缺点是 p 型（空穴传输）金属氧化物半导体非常少。 虽然在为发射器提供放大时不是一个重大问题，但这确实意味着氧化物半导体不太适合互补逻辑，因此也不太适合信息处理。
成长
编辑金属氧化物半导体通常使用溅射沉积，这是一种基于真空的生长技术，可形成非晶或多晶层。 氧化物也可以从溶液中沉积，例如通过旋涂或喷涂。
商业用途
编辑一些公司已经采用氧化物 TFT 作为显示驱动器的平台。
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