锑化铟

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摩尔质量236.6gmol物态 密度 5.75克厘米 熔点 535°C(分解) 溶解度 几乎不溶于水 锑化铟(InSb)是铟(In)和锑(Sb)的化合物。它是III-V族半导体之一。 在室温下,未掺杂锑化铟在所有已知半导体中具有最大的电子迁移率78,000cm2/(Vs),这也导致了极高的(与其他材料相比)霍尔常数-2.410m/C解释。它特别适用于生产速度非常快的电子开关。 此外,锑化铟在光电子...

锑化镓

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摩尔质量236.6 g mol物态

密度

5.75 克厘米

熔点

535 °C(分解)

溶解度

几乎不溶于水

锑化铟 (InSb) 是铟 (In) 和锑 (Sb) 的化合物。 它是III-V族半导体之一。

属性

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在室温下,未掺杂锑化铟在所有已知半导体中具有xxx的电子迁移率 78,000 cm2/(V s),这也导致了极高的(与其他材料相比)霍尔常数 -2.4 10 m/ C 解释。 它特别适用于生产速度非常快的电子开关

此外,锑化铟在光电子学中用作红外传感器的材料,尤其是在1000 nm至5500 nm的波长范围内。

锑化铟半导体器件的扩散电压低于 0.5 V,与 0.7 V 的硅相比,这允许更低的工作电压,从而降低功率损耗。

获取和展示

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锑化铟在两种高纯度元素熔化在一起时形成:

I n + S b ⟶ I n S b


使用

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锑化铝铟之间的一层锑化铟可以作为量子阱。 这可用于构建非常快速的开关晶体管。 双极晶体管的工作频率最高可达 85 GHz,而场效应晶体管的工作频率最高可达 200 GHz。

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