PMOS逻辑

PMOS或pMOS逻辑是一个基于p通道、增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管的数字电路系列。他们同时制造了PMOS和NMOS器件，但只有PMOS器件在工作。十多年后，制造过程中的污染物（特别是钠）才能得到很好的管理，以制造实用的NMOS器件。与双极结晶体管相比，MOSFET具有许多优点。考虑到精度相似的半导体器件制造工艺，MOSFET只需要双极结晶体管的10%的面积。87主要原因是MOSFET是自绝缘的，不需要与芯片上的相邻元件进行p-n结隔离。

MOSFET需要更少的工艺步骤，因此制造起来更简单、更便宜（一个扩散掺杂步骤：87，而双极工艺需要四个步骤：50）。由于MOSFET没有静态门电流，基于MOSFET的集成电路的功耗可以降低。相对于双极集成电路的缺点是。由于栅极电容较大，开关速度xxx降低。早期MOSFET的高阈值电压导致了较高的最低电源电压（-24V至-28V）。

其他公司继续生产PMOS电路，如大型移位寄存器（通用仪器）或模拟多路复用器3705（飞兆半导体），这在当时的双极技术中是不可行的。自对准栅极工艺允许更严格的制造公差，因此既能缩小MOSFET，又能减少一致的栅极电容。例如，对于PMOS存储器来说，这种技术以一半的芯片面积提供了三到五倍的速度。多晶硅栅极材料不仅使自对准栅极成为可能，而且还降低了阈值电压，从而降低了最低电源电压，降低了功耗。由于电源电压较低，硅门PMOS逻辑通常被称为低压PMOS，而老式的金属门PMOS则被称为高压PMOS。由于各种原因，飞兆半导体公司并没有像相关管理人员所希望的那样深入地进行PMOS集成电路的开发。

在这份微处理器名单中，有几个商业上的xxx：xxx个4位微处理器（4004），xxx个8位微处理器（8008），xxx个单芯片16位微处理器（PACE），以及xxx个单芯片4位微控制器。英特尔（2102）和IBM都推出了1千比特的内存芯片。由于NMOSMOSFET的n型沟道中的电子迁移率大约是o型沟道的三倍，因此，NMOSMOSFET的电子迁移率为0。